TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0 عبارة عن 3.3 فولت 2 جيجابت (2،214،592،512 بت) NAND ذاكرة للقراءة فقط قابلة للمسح كهربائيًا (NAND EEPROM) ، منظمة على شكل (2048 + 64) بايت × 64 صفحة × 2048 كتل ، تقع على لوحة التحكم Whatsminer CB2 - على V8 / V10. يستخدم دبابيس الإدخال / الإخراج للعنوان وإدخال / إخراج البيانات وإدخال الأوامر. يتم تنفيذ عمليات المسح والبرنامج تلقائيًا ، مما يجعل الجهاز مثاليًا لتطبيقات مثل تخزين الملفات في الحالة الصلبة وتسجيل الصوت وتخزين ملفات الصور الثابتة بالكاميرا والأنظمة الأخرى التي تتطلب تخزين بيانات ذاكرة غير متطايرة عالية الكثافة.

يحتوي الجهاز على سجل ثابت 2112 بايت يسمح للبرنامج وقراءة البيانات ليتم نقلها بين السجل ومجموعة خلايا الذاكرة بزيادات 2112 بايت. يتم تنفيذ عمليات المسح في وحدات من كتلة واحدة (128 كيلوبايت + 4 كيلوبايت: 2112 بايت × 64 صفحة).

مواصفات المنتج:

• منظمة

مجموعة خلايا الذاكرة: 2112 × 128 كيلو × 8

التسجيل: 2112 × 8

حجم الصفحة: 2112 بايت

حجم الكتلة: (128K + 4K) بايت

• أساليب

القراءة ، إعادة التعيين ، برنامج الصفحات التلقائي ، محو الحظر التلقائي ، قراءة الحالة ، نسخ الصفحة

قراءة متعددة الصفحات ، برنامج متعدد الصفحات ، مسح متعدد القوالب ، قراءة حالة ECC

• التحكم في الوضع

الإدخال / الإخراج التسلسلي

التحكم في القيادة

• عدد الكتل الصالحة

كتل 2008 كحد أدنى

2048 قطعة كحد أقصى

• مزود الطاقة

VCC = 2.7 فولت إلى 3.6 فولت

• برنامج / محو الوقت

Auto Page Program 330 µs / page typ.

محو كتلة تلقائية 2.5 مللي ثانية / كتلة الكتابة.

• تيار التشغيل

قراءة (دورة 25 نانوثانية) 30 مللي أمبير كحد أقصى.

البرنامج (متوسط) 30 مللي أمبير كحد أقصى

محو (متوسط) 30 مللي أمبير كحد أقصى

الاستعداد 50 µA كحد أقصى

• يتم تنفيذ ECC 8 بت لكل 528 بايت على الشريحة