SLF18N50C

يتم إنتاج SLF18N50C 18A 500V MOSFET باستخدام تقنية DMOS ذات الشريط المستوي المتقدم من Maple semi ، والمصممة خصيصًا لتقليل المقاومة إلى الحد الأدنى ، وتوفير أداء تحويل ممتاز ، وتحمل نبضات الطاقة العالية في أوضاع الانهيار الجليدي والتبديل. هذه الأجهزة مثالية لمصادر الطاقة ذات وضع التبديل عالي الكفاءة وتصحيح عامل الطاقة النشط استنادًا إلى طبولوجيا نصف الجسر.

هذا منتج أصلي جديد تمامًا ، وقد يكون السعر أغلى من المنتج البديل ، ولكن الجودة مضمونة ؛ مرحبا بكم في الشراء!

معلمات المنتج:

مدونة نموذجية: SLF18N50C

نوع الترانزستور: MOSFET

نوع قناة التحكم: قناة N

الحد الأقصى لاستهلاك الطاقة (Pd): 41 وات

الحد الأقصى لجهد مصدر الصرف | Vds |: 500 فولت

الجهد الأقصى لمصدر البوابة | Vgs |: 30 فولت

الحد الأقصى لجهد عتبة البوابة | Vgs (عشر) |: 5 فولت

أقصى تيار استنزاف | المعرف |: 18 أ

أقصى درجة حرارة للتقاطع (Tj): 150 درجة مئوية

إجمالي رسوم البوابة (Qg): 69 nC

وقت الصعود: 43.5 نانوثانية

سعة مصدر الصرف (Cd): 335 pF

أقصى مقاومة لمصدر الصرف (Rds): 0.283 أوم

العبوة: TO220F

سمات:

- نوع 18A ، 500V ، RDS (on). = 236 مΩ @ VGS = 10 فولت

- شحنة بوابة منخفضة (نموذجية 69nC)

- صلابة عالية

- التبديل السريع

- تم اختبار الانهيار الجليدي بنسبة 100٪

- تحسين قدرة DV / DT