LSB65R041GF

LSB65R041GF N-Channel 650V، 78A، 0.041Ω power يتم تصنيع MOSFET باستخدام تقنية الوصلات الفائقة المتقدمة. تتميز بمقاومة منخفضة للغاية ، مما يجعلها مناسبة بشكل خاص للتطبيقات التي تتطلب كثافة طاقة ممتازة وكفاءة ممتازة.

هذا منتج أصلي جديد تمامًا ، وقد يكون السعر أغلى من المنتج البديل ، ولكن الجودة مضمونة ؛ مرحبا بكم في الشراء!

معلمة المنتج:

النوع المحدد: LSB65R041GF

نوع الترانزستور: MOSFET

نوع قناة التحكم: N -Channel

أقصى تبديد للطاقة (Pd): 500 واط

الحد الأقصى لجهد مصدر الصرف | Vds |: 650 فولت

الحد الأقصى لجهد مصدر البوابة | Vgs |: 30 فولت

الحد الأقصى لجهد عتبة البوابة | Vgs (th) |: 4 فولت

أقصى تيار استنزاف | المعرف |: 78 أ

أقصى درجة حرارة للتقاطع (Tj): 150 درجة مئوية

إجمالي رسوم البوابة (Qg): 110 nC

وقت الصعود (tr): 52 nS

سعة مصدر الصرف (Cd): 4800 pF

أقصى مقاومة لمصدر الصرف على الحالة (الطرق): 0.041 أوم

العبوة: TO-247

سمات:

• RDS منخفضة للغاية (تشغيل)

• شحنة بوابة منخفضة للغاية (النوع Qg = 110nC)

• تم اختبار 100٪ من معهد اليونسكو للإحصاء

• متوافق مع RoHS

التطبيقات:

• تصحيح فصيل القوة (PFC).

• مزودات الطاقة ذات الوضع المحول (SMPS).

• مزود الطاقة غير المنقطع (UPS).