G1N65R035TB-N

G1N65R035TB-N MOSFET على شكل قناة N

G1N65R035TB-N عبارة عن مجموعة هجينة من نيتريد الغاليوم (GaN) FET مع أقوى بوابة وأقل انخفاض للجهد العكسي من أي جهاز ذي فجوة نطاق واسعة. إنها تسمح بمحركات بوابة بسيطة وتوفر أفضل أداء في فئتها وموثوقية ممتازة. يستخدم بشكل شائع لاستبدال الأجزاء الفاشلة P221B PSU.

هذا منتج أصلي جديد تمامًا، وقد يكون السعر أغلى من المنتج البديل، ولكن الجودة مضمونة؛ مرحبا بكم في الشراء!

ميزة:

• بوابة قوية ذات عتبة عالية ، ولا تتطلب محرك بوابة سالب ، وتحمل جهد دخل متكرر عالي يبلغ ± 20 فولت.

• سرعة تشغيل / إيقاف تشغيل سريعة لتقليل فقد التقاطع.

• QG منخفض ومحرك بوابة بسيط بأقل استهلاك للسائق عند الترددات العالية.

• أدنى تردد عكسي خارج الحالة للتوصيل العكسي لجميع SiC و GaN FETs ، مما يتيح خسائر منخفضة أثناء الوقت الميت.

• معدل QRR منخفض لتطبيقات الجسر ذات التحويل الثابت الممتازة.

• سبايك عالية التسامح 800 فولت يحسن الموثوقية.

اختبار قيمة DS:

فائدة:

• تحقيق أعلى كفاءة تحويل.

• يوفر ترددات أعلى لإمدادات الطاقة المدمجة.

• ومع انخفاض الميزانية الحرارية، يتم تحقيق التوفير في تكلفة المنتج النهائي وحجمه.

• تحسين السلامة والموثوقية بسبب برودة درجة حرارة التشغيل.

تطبيق:

• نصف جسر باك / دفعة، أو دائرة PFC لقطب الطوطم ، أو دائرة العاكس.

• تحول طور عالي الكفاءة / عالي التردد ، LLC ، أو طبولوجيا تحويل أخرى.