PKCH2BB فيت

PKCH2BB ترانزستور تأثير المجال

PKCH2BB N- قناة تحسين وضع المجال تأثير الترانزستور PDFN 5x6P

سمات:

P_b − خالٍ من الهالوجين ومتوافق مع RoHS.

انخفاض R_{DS (on)} لتقليل خسائر التوصيل.

نسبة R_{DS (on)} للمنطقة الأومية.

رسوم البوابة المحسّنة لتقليل خسائر التبديل.

معلمات المنتج:

التصنيفات القصوى المطلقة (T_A = 25 ° C)

V _(BR) DSS: 30 فولت

V_GS: ± 20 فولت

R_DS (تشغيل): 0.99mΩ

نطاق درجة حرارة التشغيل والتخزين: -55 إلى 150 درجة مئوية

تيار التصريف المستمر:

T_C = 25 درجة مئوية: 228 أ

T_C = 100 درجة مئوية: 145 أ

تيار التصريف المستمر ：

T_A = 25 درجة مئوية ： 50 ألف

T_A = 70 درجة مئوية ： 50 ألف

تيار التصريف النبضي: 350A

النوع المحدد: PKCH2BB

نوع الترانزستور: MOSFET

نوع قناة التحكم: N -Channel

أقصى تبديد للطاقة (P_d): 5 وات

أقصى جهد لمصدر التصريف (V_ds): 30 فولت

الجهد الأقصى لمصدر البوابة (V_gs): 20 فولت

أقصى جهد عتبة البوابة (V_{gs (th)}): 2.35 فولت

أقصى تيار تصريف (معرف): 50 أ

أقصى درجة حرارة للتقاطع (T_j): 150 درجة مئوية

إجمالي رسوم البوابة (Q_g): 128 nC

وقت الصعود (t_r): 49 nS

سعة مصدر الصرف (C_d): 1052 pF

أقصى مقاومة لمصدر التصريف على الحالة (الطرق): 0.00099 أوم