RS1E320

شريحة MOS RS1E320GN مناسبة لاستبدال وإصلاح شريحة MOS هاش بورد L3+. بعد تلف شريحة MOS، لن يكون للوحة بأكملها أي جهد كهربائي أو جهد غير طبيعي. عادةً عندما يطالبك بـ 0 ASIC (عدد الرقائق التي أبلغ عنها اختبار لاعبا اساسيا هو 0)

، تحقق أولاً من الجهد في مجال الجهد، إذا كان غير طبيعي، فمن المحتمل أن يكون خطأ MOS.

سمات:

مقاومة منخفضة؛

حزمة الطاقة العالية (HSOP8)؛

خالية من الرصاص، ومتوافقة مع RoHS، وخالية من الهالوجين؛

تم اختباره بنسبة 100% Rg وUIS؛

تقاطع إلى المقاومة الحرارية المحيطة: 41.7 درجة مئوية/ث، المقاومة الحرارية: 3.6 درجة مئوية.

معلمات:

RDS (تشغيل) (الحد الأقصى): 1.9mΩ

lD: ±32A

الطاقة: 3.0 واط

جهد مصدر التصريف (VDSS): 30 فولت

استنزاف مستمر الحالي:: T. =25 درجة مئوية ±80 أمبير (LD*1)T. =25 درجة مئوية ±32 أمبير (LD)

نبض استنزاف الحالي: ±128A

جهد مصدر البوابة: ± 20 فولت

نبضة طاقة الانهيار الجليدي الفردية: 77.7 مللي جول

تيار الانهيار الجليدي: 32A

استهلاك الطاقة: 34.6 وات (PD*1) 3.0 وات(PD*4)

درجة حرارة الوصلة: 150 درجة مئوية

نطاق درجة حرارة التخزين: -55 إلى +150 درجة مئوية