NCE40H12

وصف المنتج

NCE40H12 قناة N وضع تحسين الطاقة MOSFET

يستخدم NCE40H12 تقنية وتصميم خندق متقدم لتوفير RDS (ON) ممتاز مع شحن بوابة منخفض. منتج خالٍ من الرصاص في عبوة TO-220-3L. يمكن استخدامه في مجموعة واسعة من التطبيقات. مثل تبديل الحمل. التبديل الصعب والدوائر ذات التردد العالي. إمدادات الطاقة غير المنقطعة، الخ.

يُعدّ NCE40H12 ترانزستور MOSFET من النوع N ذو مقاومة داخلية منخفضة للغاية، يعمل بجهد ٤٠ فولت وتيار ١٢٠ أمبير، ويُستخدم كمفتاح أساسي لعملية التقويم المتزامن على الجانب الثانوي لوحدة تغذية الطاقة في جهاز تعدين العملات الرقمية. يتولى هذا الترانزستور معالجة تيار الخرج العالي للجهاز بأكمله، وبالتزامن مع المحول الرئيسي، يحوّل الجهد العالي البالغ ٤٠٠ فولت إلى جهد ١٢ فولت مستقر وعالي الطاقة، مما يضمن قدرة جهاز تعدين العملات الرقمية ASIC على إخراج معدل التجزئة المُصنّف له بثبات تحت الحمل الكامل. عند تعطل ترانزستور NCE40H12، سينصهر مصهر الجهد المنخفض فور تشغيل الجهاز، مما يؤدي إلى انقطاع خرج ١٢ فولت، وعدم تشغيل جهاز التعدين، وإيقاف تشغيله بسبب ارتفاع درجة الحرارة تحت الحمل الكامل. كما يمكن أن تتسبب تقلبات جهد الخرج في انخفاض حاد في معدل التجزئة.

هذا منتج أصلي جديد تمامًا، وقد يكون السعر أغلى من المنتج البديل، ولكن الجودة مضمونة أكثر؛ مرحبا بكم في الشراء.

ميزات ترانزستور NCE40H12 المقوم المتزامن MOSFET بجهد ٤٠ فولت وتيار ١٢٠ أمبير:

V_DS=40V، I_D=120A، R_DS(ON) <4 mΩ @ V_GS=10V، R_DS(ON) <7 mΩ @ V_GS=4.5V;

تصميم خلية عالية الكثافة لR_dson منخفضة للغاية؛

توصيف شامل لجهود وتيارات الانهيار الجليدي؛

استقرار جيد وتوحيد مع ارتفاع EAS؛

حزمة ممتازة لتبديد الحرارة بشكل جيد.

تكنولوجيا عملية خاصة لقدرة عالية على ESD.

عرض المنتج