NT5CC128M16IP-DI

NT5CC128M16IP-DI عبارة عن شريحة ذاكرة DDR3 على لوحة التحكم S9 ، والتي يمكنها تحقيق تشغيل عالي السرعة. تم تكوينه داخليًا على شكل ثمانية بنوك للذاكرة الحيوية. يتم تنظيم رقائق 2Gb على أنها 32Mbit x 8 I / O x 8 Bank أو 16Mbit x 16 I / O x 8 Bank. تتيح هذه الأجهزة المتزامنة معدلات نقل بيانات مزدوجة عالية السرعة تصل إلى 1866 ميجابايت / ثانية / دبوس للتطبيقات ذات الأغراض العامة.

تم تصميم الشريحة لتلبي جميع ميزات مفتاح DDR3 (L) DRAM الرئيسية ، وتتم مزامنة جميع إدخالات التحكم والعنوان مع زوج من الساعات التفاضلية المزودة من الخارج. يتم إغلاق المدخلات عند نقاط العبور للساعات التفاضلية (ارتفاع CK وهبوط CK). جميع عمليات الإدخال / الإخراج هي مصدر متزامن مع DQS أحادي النهاية أو أزواج DQS التفاضلية.

ميزة المنتج:

• متوافق مع JEDEC DDR3

- 8n العمارة الجلب المسبق

- الساعة التفاضلية وضوء البيانات

- معدل بيانات مزدوج على DQ و DQS و DM

• تكامل البيانات

- تحديث ذاتي تلقائي (ASR) TS مع ذاكرة DRAM مدمجة

- التحديث التلقائي ووضع التحديث الذاتي

• وضع توفير الطاقة

- التحديث الذاتي للصفيف الجزئي (PASR)

- وضع خفض الطاقة

• سلامة الإشارة

- DS شكلي لتوافق النظام

- إنهاء شكلي على الرقاقة

- معايرة ZQ لدقة مقاومة DS / ODT عبر وسادات ZQ الخارجية (240 أوم ± 1٪)

• مزامنة الإشارة

- كتابة التسوية عبر إعدادات MR

- قراءة التسوية عبر MPR

• واجهة وإمدادات الطاقة

- SSTL_15 لـ DDR3: VDD / VDDQ = 1.5 فولت (± 0.075 فولت)

- SSTL_1353 for DDR3L: VDD / VDDQ = 1.35 فولت (-0.067 / + 0.1 فولت)