SRC60R230B

SRC60R230B 230mΩ ، 600V عبارة عن MOSFET بقوة الجهد العالي N-Channel تم تصنيعها باستخدام تقنية الوصلات الفائقة المتقدمة. تتميز بمقاومة منخفضة ، وشحن بوابة منخفض ، وأوقات تحويل سريعة ، مما يجعلها مثالية للتطبيقات التي تتطلب كثافة وكفاءة طاقة فائقة.

معلمات المنتج:

اسم الطراز: SRC60R230B

نوع الترانزستور: MOSFET

نوع قناة التحكم: قناة N

الحد الأقصى لاستهلاك الطاقة (Pd): 86.8 وات

أقصى جهد لمصدر التصريف | Vds |: 600 فولت

الجهد الأقصى لمصدر البوابة | Vgs |: 30V

جهد عتبة البوابة القصوى | Vgs (th) |: 5V

أقصى تيار استنزاف | المعرف |: 13.7A

أقصى درجة حرارة للتقاطع (Tj): 150 درجة مئوية

إجمالي شحنة البوابة (Qg): 25.6 nC

وقت الصعود (tr): 20 نانوثانية

سعة مصدر الصرف (Cd): 86.4 بيكو فاراد

أقصى مقاومة لمصدر التصريف (الطرق): 0.23 أوم

ميزة:

• منخفض للغاية RDS (ON) = 230mΩ @ VGS = 10V.

• شحنة بوابة منخفضة للغاية ، Qg = 25.6nC (النوع)

• ديود الجسم الداخلي سريع التعافي

• القدرة على التبديل السريع

• تصميم متين لتحسين أداء EAS

طلب:

• مصدر طاقة AC / DC

• بطارية الكمبيوتر

• خادم / اتصالات

• محولات الطاقة الشمسية